温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SSC8K21GN3
1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8K21GN3
- 商品编号
- C408318
- 商品封装
- DFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.049克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 376pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SSC8K21GN3 集成了采用高单元密度和 DMOS 沟槽技术制造的 P 沟道增强型功率 MOSFET 以及低正向电压肖特基二极管。其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
商品特性
- P 沟道 MOSFET
- 肖特基二极管
应用领域
- 锂电池充电
- 高端 DC/DC 转换器
- 无刷直流电机高端驱动器
- 便携式电池供电设备的电源管理