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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 850mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 697pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 308pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该器件采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 可将General Description部分中提到的使用先进沟槽技术、提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷以及可在低至2.5V的栅极电压下工作等内容视为特性。
- 如:使用先进沟槽技术
- 出色的RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 可在低至2.5V的栅极电压下工作
应用领域
- 负载开关
- 便携式设备
- DC-DC转换
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