温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
该器件特别适用于低电压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，并且在超小外形表面贴装封装中需要低在线功耗。具备出色的热性能和电气性能。
应用领域
-负载开关-便携式设备-DC-DC转换
相似推荐
其他推荐