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SSC8035GS6
P沟道增强型MOSFET，适用于低压应用，具备出色热性能和电气性能
- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8035GS6
- 商品编号
- C408329
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
该器件特别适用于低电压应用,如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路,并且在超小外形表面贴装封装中需要低在线功耗。具备出色的热性能和电气性能。
应用领域
-负载开关-便携式设备-DC-DC转换
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