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SSC8P20AN2
带PNP晶体管的N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- SSC8P20AN2 集成了采用高单元密度制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET 和一个中功率 PNP 晶体管。其小巧纤薄的外形节省了 PCB 占用空间。
- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8P20AN2
- 商品编号
- C408320
- 商品封装
- DFN-6-EP(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 765mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@16V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
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