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SSC8P22AN3
1个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
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- 品牌名称
- AF(晶岳)
- 商品型号
- SSC8P22AN3
- 商品编号
- C408322
- 商品封装
- DFN-8(2x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
SSC8P22AN3集成了采用高单元密度制造的N沟道增强型功率MOSFET和一个中功率PNP晶体管。其小巧纤薄的外形节省了PCB占用空间。
商品特性
- N沟道
- PNP晶体管
应用领域
- 锂电池充电