MMS006PP3/TR
DC-20GHz砷化镓单刀双掷非反射射频开关
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- 描述
- MMS006PP3/TR是一款从DC到20GHz的非反射砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷（SPDT）单片微波集成电路（MMIC）开关，采用3mm×3mm×0.85mm无引脚塑料封装。该开关在DC到20GHz范围内提供超过40dB的隔离度，同时保持低于2.0dB的低插入损耗。
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MMS006PP3/TR
- 商品编号
- C3303743
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | 0Hz~20GHz | |
| 隔离度 | 40dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 2dB | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
MMS006PP3是一款直流至20 GHz的非反射型砷化镓（GaAs）赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷（SPDT）单片微波集成电路（MMIC）开关，采用3 mm×3 mm塑料无引脚表面贴装封装。该开关在直流至20 GHz频段内实现了超过40 dB的隔离度，同时保持低于2.0 dB的低插入损耗。也有裸片形式的MMS006AA可供选择，其射频端口内部匹配至50 Ω，便于集成到多芯片模块（MCM）中。
商品特性
- 非反射型拓扑结构
- 宽带性能：直流 - 20 GHz
- 快速切换：10 ns
- 低插入损耗：10 GHz时为1.2 dB
- 出色的隔离度：10 GHz时为42 dB
- 紧凑的16引脚塑料QFN封装：3 mm×3 mm×0.85 mm
- 高输入P1dB：25 dBm
- 高输入IP3：43 dBm
应用领域
- 测试仪器
- 通用微波应用