MA4AGSW4
超宽带SP4T射频PIN二极管开关
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- 描述
- MA4AGSW4是一款基于铝镓砷（AlGaAs）技术的单刀四掷（SP4T）PIN二极管开关。该开关具有增强的AlGaAs阳极，采用MACOM的异质结技术制造。与传统的GaAs工艺相比，AlGaAs技术可减少0.3dB的插入损耗。该器件在50GHz频率下表现出优异的性能。
- 品牌名称
- MACOM
- 商品型号
- MA4AGSW4
- 商品编号
- C3303732
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 射频开关 | |
| 频率 | - | |
| 隔离度 | 31dB |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 插入损耗 | 0.7dB | |
| 工作电压 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ |
商品概述
MA4AGSW4 是一款采用铝镓砷（Aluminum-Gallium-Arsenide）工艺的单刀四掷（SP4T）PIN 二极管开关。该开关采用了 MACOM 异质结技术形成的增强型 AlGaAs 阳极。与采用传统 GaAs 工艺制造的器件相比，AlGaAs 技术制造的开关损耗更低。在 50 GHz 频率下，插入损耗可降低多达 0.3 dB。该器件采用有机金属化学气相沉积（OMCVD）外延片制造，其工艺设计旨在实现高器件一致性和极低的寄生参数。芯片内的二极管具有低串联电阻、低电容和快速开关速度的特点。它们采用氮化硅进行全面钝化处理，并额外增加了一层聚合物涂层以防止刮擦。这种保护涂层可防止在处理和组装过程中对二极管结和芯片阳极空气桥造成损坏。该开关需要片外偏置电路。
AlGaAs 的高电子迁移率和所使用 PIN 二极管的低电容特性，使这款开关非常适合用于快速响应、高频、多掷开关设计。AlGaAs PIN 二极管开关是雷达系统、辐射计、测试设备和其他多组件装配中的开关阵列的理想选择。
商品特性
- 超宽带宽：50 MHz 至 50 GHz
- 插入损耗：0.7 dB
- 隔离度：在 50 GHz 时为 31 dB
- 低功耗：低损耗状态下为 - 10 mA，隔离状态下为 +10 mA
- MACOM 独特的 AlGaAs 异质结阳极技术
- 氮化硅钝化处理
- 聚合物防刮保护
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 工业、科学和医疗（ISM）频段