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MASW4030G

GaAsSPDT射频开关DC-4.0GHz

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描述: MASW4030G是一款吸收型或反射型GaAsMESFETMMICSPDT开关。该器件结合了小尺寸、低插入损耗和低功耗，并具有高隔离度。适用于许多应用和模块设计，尤其在4.0GHz以下的设计中表现良好。
品牌名称: MACOM
商品型号: MASW4030G
商品编号: C3303735
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品概述

MASW4030G是一款单刀双掷（SPDT）吸收式或反射式砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）单片微波集成电路（MMIC）。该器件尺寸小、插入损耗低、功耗低，且隔离度高，非常适合多种应用和模块使用。它在4.0 GHz以下的设计中表现出色。 MASW4030G采用成熟的1微米栅长砷化镓MESFET工艺制造。该工艺采用全芯片钝化技术，以提高性能和可靠性。

商品特性

吸收式或反射式
出色的互调产物
出色的温度稳定性
快速开关速度：典型值3 ns
超低直流功耗，独立偏置控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	频率	50MHz~4GHz
	隔离度	40dB

	属性	参数值
	插入损耗	1dB
	工作电压	-
	工作温度	-