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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQA10N60C

1个N沟道 耐压:600V 电流:10A

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FQA10N60C
商品编号
C3291279
商品封装
TO-3P​
包装方式
管装
商品毛重
6.771克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))730mΩ@10V
耗散功率(Pd)192W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)57nC@10V
输入电容(Ciss)2.04nF
反向传输电容(Crss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)215pF

商品特性

  • 典型值:当栅源电压VGS为10 V,漏极电流ID为80 A时,漏源导通电阻RDS(on)为1.5 mΩ
  • 典型值:当栅源电压VGS为10 V时,栅极电荷Q_g(10)为187 nC
  • 低米勒电荷
  • 低反向恢复电荷体二极管
  • 具有非钳位感性开关(UIS)能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 通过汽车电子委员会(AEC)Q101认证
  • 符合有害物质限制指令(RoHS)

应用领域

  • 12V汽车负载控制
  • 起动机/交流发电机系统
  • 电子动力转向系统
  • DC/DC转换器

数据手册PDF