RM30N100LD
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM30N100LD
- 商品编号
- C3290950
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM30N100LD采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用。
商品特性
- VDS = 100V,ID = 30A
- RDS(ON)< 50 m Ω(在 VGS=10 V 时,典型值为 40 m Ω)
- RDS(ON)< 60 m Ω(在 VGS=5 V 时,典型值为 50 m Ω)
- 具备高ESD能力的特殊工艺技术
- 用于超低RDS(ON)的高密度单元设计
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高 EAS 的良好稳定性和一致性
- 散热性能良好的出色封装
- 无卤
- P/N后缀V表示符合AEC - Q101标准,例如:RM30N100LDV
- 100%进行UIS测试!
- 100%进行 \Delta Vds 测试!
应用领域
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC 转换器
- PFC 电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人技术和伺服控制