RM50N60IP
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM50N60IP
- 商品编号
- C3290805
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。它们是先进的功率MOSFET，经过设计、测试并保证在击穿雪崩工作模式下能承受特定水平的能量。所有这些功率MOSFET均适用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器以及需要高速和低栅极驱动功率的大功率双极型开关晶体管驱动器等应用。这些型号可直接由集成电路驱动。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60V,漏极电流(ID) = 50A
- 在栅源电压(VGS) = 10V时,导通电阻(RDS(ON)) < 20mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源