IRFP340
1个N沟道 耐压:400V 电流:11A
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFP340
- 商品编号
- C3290774
- 商品封装
- TO-247AC
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合各种追求小型化和更高效率的电力系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管反向恢复性能经过优化，可省去额外元件并提高系统可靠性。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 78 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg = 65 nC）
- 低有效输出电容（典型Coss(eff.) = 597 pF）
- 100%雪崩测试
- 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），符合RoHS标准
应用领域
- 汽车车载充电器(HEV-EV)-汽车DC/DC转换器(HEV-EV)