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IXTH220N20X4
N沟道,电流:220A,耐压:200V
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用：开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH220N20X4
- 商品编号
- C3288566
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 800W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.3nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.65nF |
商品概述
RM100N65DF采用先进的沟槽技术和设计，在提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）的同时，具有较低的栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 65 V，漏极电流（ID） = 100 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 2.8 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 5.4 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电（ESD）能力
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源-无卤