2SJ646-TL-E
P沟道,电流:-8A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- 2SJ646-TL-E
- 商品编号
- C3283183
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 154mΩ@4V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品概述
FETKY产品系列集成了低导通电阻（RDS(on)）的MOSFET，与业界领先的低正向压降、低泄漏肖特基势垒整流器封装在一起，以节省空间的配置提供高效组件。MOSFET和肖特基管芯的独立引脚设计，使其能够灵活地在各种应用中作为单一组件实现开关和整流功能，如降压转换器、升降压转换器、同步整流、低压电机控制，以及电池组、充电器、手机和其他便携式产品中的负载管理。
商品特性
- 低导通电阻。
- 超高速开关。
- 4V驱动。
应用领域
- 降压转换器-升降压转换器-同步整流-低压电机控制-电池组负载管理-充电器-手机-其他便携式产品