SP001017058
1个N沟道 耐压:600V 电流:10.6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SP001017058
- 商品编号
- C3282998
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,3.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 877pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CLF1G0035 - 200P和CLF1G0035S - 200P是200 W通用宽带氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），可在直流至3.5 GHz频率范围内使用。
商品特性
- 工作频率范围为直流至3.5 GHz
- 200 W通用宽带射频功率氮化镓高电子迁移率晶体管
- 出色的耐用性（电压驻波比 = 10:1）
- 高电压工作（50 V）
- 散热增强型封装
应用领域
- 商用无线基础设施（蜂窝网络、WiMAX）
- 雷达
- 宽带通用放大器
- 公共移动无线电
- 工业、科学、医疗领域
- 干扰器
- 电磁兼容性测试