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IPU60R1K4C6
600V,电流:3.2A,耐压:600V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPU60R1K4C6
- 商品编号
- C3282916
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 28.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@0.09mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 16pF |
商品概述
HEXFET技术是国际整流器公司（International Rectifier）先进功率MOSFET晶体管产品线的关键。这种最新的“先进技术”设计具有高效的几何结构和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻与高跨导相结合；出色的反向能量和二极管恢复dv/dt能力。 HEXFET晶体管还具备MOSFET所有公认的优势，如电压控制、极快的开关速度、易于并联以及电气参数的温度稳定性。
商品特性
~~- 重复雪崩额定值-动态dv/dt额定值-密封封装-驱动要求简单-易于并联
应用领域
- 开关电源-电机控制-逆变器-斩波器-音频放大器-高能脉冲电路