TPIC1533DWR
四路和六路功率MOSFET阵列,电流:12A,耐压:20V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPIC1533DWR
- 商品编号
- C3282506
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V@5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品概述
CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。CoolMOS C6系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新技术。该系列器件在不牺牲易用性的前提下，具备快速开关SJ MOSFET的所有优势。极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更好。
商品特性
~~- 由于极低的品质因数Rdson*Qg和Eoss,损耗极低-极高的换向鲁棒性-易于使用/驱动-通过JEDEC认证,无铅电镀,无卤素
应用领域
- 适配器