2SK1400A-E
N沟道,电流:7A,耐压:350V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- 2SK1400A-E
- 商品编号
- C3282203
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 635pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 低导通电阻
- 典型导通电阻RDS(on) = 0.6 Ω(在 ID = 4 , \textA 、 VGS = 10 , \textV 、环境温度Ta = 25°C 条件下)
- 高速开关
- 低驱动电流
应用领域
-高效开关模式电源-有源功率因数校正-基于半桥拓扑的电子灯镇流器