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2N7000

N沟道,电流:200mA,耐压:60V

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商品型号
2N7000
商品编号
C3281848
商品封装
TO-92​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200mA
导通电阻(RDS(on))6Ω@4.5V
耗散功率(Pd)350mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V@1mA
输入电容(Ciss)60pF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)25pF

商品概述

该器件专为高频/甚高频混频器/放大器以及制程50不适用的应用而设计。为灵敏接收器提供足够的增益和低噪声。

商品特性

-快速开关时间-符合 RoHS、REACH、冲突矿物法规要求-快速开关时间-符合 RoHS、REACH、冲突矿物法规要求

应用领域

-信号处理-逻辑电平转换器-驱动器-信号处理-电平转换器-驱动级

数据手册PDF