RM150N60HD
N沟道增强型MOSFET,电流:150A,耐压:60V
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM150N60HD
- 商品编号
- C3281621
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 220W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- VDS = 60V,ID = 150A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 4.5mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 具备高静电放电能力的特殊工艺技术
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源