RM80N80HD
N沟道,电流:80A,耐压:80V
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM80N80HD
- 商品编号
- C3281618
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 170W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM150N60HD采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 80V,漏极电流ID = 80A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ(典型值:7.2 mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 专为转换器和电源控制设计
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
- 无卤