RM6N800HD
1个N沟道 耐压:800V 电流:6A
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- 品牌名称
- RECTRON(丽正)
- 商品型号
- RM6N800HD
- 商品编号
- C3281617
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 98W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 33pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 适用于高压器件的新技术
- 低导通电阻和低传导损耗
- 小封装
- 超低栅极电荷,降低驱动要求
- 100%雪崩测试
- 符合ROHS标准
应用领域
-功率因数校正(PFC)-开关模式电源(SMPS)-不间断电源(UPS)