SKI07114
N沟道,电流:62A,耐压:75V
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- 品牌名称
- SANKEN(三垦)
- 商品型号
- SKI07114
- 商品编号
- C3281536
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 62A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0 W的功率。
商品特性
- 漏源击穿电压(V(BR)DSS):75 V(漏极电流 ID = 100 μA)
- 漏极电流(ID):62 A
- 导通电阻(RDS(ON)):最大 9.7 mΩ(栅源电压 VGS = 10 V,漏极电流 ID = 31.2 A)
- 总栅极电荷(Qg):25.0 nC(栅源电压 VGS = 4.5 V,漏源电压 VDS = 38 V,漏极电流 ID = 31.2 A)
- 低总栅极电荷
- 高速开关
- 低导通电阻
- 支持 4.5 V 栅极驱动
- 100% 非钳位感性负载(UIL)测试
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 直流-直流转换器
- 同步整流
- 电源