FQP12N60
N沟道,电流:10.5A,耐压:600V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP12N60
- 商品编号
- C3280549
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 700mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 270pF |
商品概述
HUF75333 N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET™工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅片面积下尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，其二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
- 56A，55V
- 超低导通电阻，rDS(ON) = 0.016Ω
- 二极管兼具高速和软恢复特性
- 温度补偿PSPICE模型
- 热阻SPICE模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线