FQP55N06
N沟道,电流:55A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQP55N06
- 商品编号
- C3280548
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 133W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 640pF |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。 它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 48 A，30 V；栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 13 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） = 17 mΩ
- 规定了高温下的关键直流电气参数
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 最高结温额定值为175°C