商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.6nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最小化导通电阻（R_D1D2(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 具备最低品质因数的LD - MOS技术
- R_D1D2(ON) = 63 mΩ，可最小化导通损耗
- Q_g = 3.2 nC，实现超快速开关
- VGS(TH)典型值为 - 0.74 V，具备低开启电位
- 采用尺寸为1.5mm × 1.5mm的CSP封装
- 高度为0.62mm，实现低外形设计
- 栅极ESD保护<人体模型3A级>
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，是“绿色”器件
应用领域
-电池管理-负载开关-电池保护