商品参数
参数完善中
商品概述
HIP2100是一款高频、100V半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制，匹配时间达8ns。这为用户在死区时间选择和驱动协议方面提供了极大的灵活性。低侧和高侧电源的欠压保护会强制输出为低电平。片上二极管省去了其他驱动IC所需的分立二极管。一种新型电平转换器拓扑结构兼具脉冲操作的低功耗优势和直流操作的安全性。与一些竞品不同，在高侧电源短暂欠压后，高侧输出能恢复到正确状态。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 提供SOIC、EPSOIC和QFN封装选项
- SOIC和EPSOIC封装符合IPC - 2221的100V导体间距准则
- 无铅（符合RoHS标准）
- 自举电源最大电压达114VDC
- 片上集成1Ω自举二极管
- 适用于多MHz电路的快速传播时间
- 驱动1000pF负载时，典型上升和下降时间为10ns
- CMOS输入阈值，提高抗噪能力
- 非半桥拓扑结构的独立输入
- 无启动问题
- 输出不受电源毛刺、高侧低于地电位的振铃或高dv/dt下高侧转换的影响
- 低功耗
- 宽电源电压范围
- 电源欠压保护
- 3Ω驱动输出电阻
- QFN封装：符合JEDEC PUB95 MO - 220标准
- 接近芯片级封装的尺寸，提高PCB效率且外形更薄
应用领域
- 电信半桥电源-双开关正激变换器-有源钳位正激变换器