NE3521M04-T2-A
N沟道 GaAs HJ-FET, 电流:15mA, 耐压:4V
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- NE3521M04-T2-A
- 商品编号
- C3276763
- 商品封装
- SMD-4P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 125mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 工作温度 | -25℃~+125℃ |
商品特性
- 低噪声系数和高相关增益:
- 在VDS = 2 V、ID = 10 mA、f = 20 GHz条件下,典型噪声系数NF = 0.85 dB,典型相关增益Ga = 11 dB
- 在VDS = 2 V、ID = 6 mA、f = 20 GHz条件下,典型噪声系数NF = 0.9 dB,典型相关增益Ga = 10.5 dB(参考值)
- 扁平引脚4引脚薄型超小型封装(M04)
应用领域
- 直播卫星(DBS)低噪声下变频器(LNB)增益级、混频级
- 微波通信系统低噪声放大器