温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SVD3205T
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- SVD3205T/F/S是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的平面低压结构VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。它可广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源
- 品牌名称
- SILAN(士兰微)
- 商品型号
- SVD3205T
- 商品编号
- C400186
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 67nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.365nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 169pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单