STT818B
STT818B
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- 描述
- 高增益低压PNP功率晶体管
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STT818B
- 商品编号
- C36773
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 20uA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
该器件采用低压PNP平面技术,具有“基岛”布局。由此产生的晶体管表现出良好的增益性能和极低的饱和电压。封装为SOT23-6L。
商品特性
- 集电极-发射极饱和电压非常低
- 直流电流增益>100(hFE)
- 连续集电极电流为3A(IC)
应用领域
- 便携式设备中的电源管理
- 电池充电器应用中的开关稳压器



