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STT818B

STT818B

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描述
高增益低压PNP功率晶体管
商品型号
STT818B
商品编号
C36773
商品封装
SOT-23-6L​
包装方式
编带
商品毛重
0.039克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)30V
耗散功率(Pd)1.2W
直流电流增益(hFE)100
属性参数值
特征频率(fT)-
集电极截止电流(Icbo)20uA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
工作温度-
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个PNP

商品概述

该器件采用低压PNP平面技术,具有“基岛”布局。由此产生的晶体管表现出良好的增益性能和极低的饱和电压。封装为SOT23-6L。

商品特性

  • 集电极-发射极饱和电压非常低
  • 直流电流增益>100(hFE)
  • 连续集电极电流为3A(IC)

应用领域

  • 便携式设备中的电源管理
  • 电池充电器应用中的开关稳压器

数据手册PDF