PDTB123YU115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 425mW | |
| 特征频率(fT) | 140MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV@50mA,2.5mA | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
PNP带电阻晶体管（RET）系列，采用非常小的SOT323（SC-70）表面贴装塑料封装。输出电流能力为500mA，电阻比容差±10%，内置偏置电阻，符合AEC-Q101标准，简化电路设计，适用于高达175°C的高温应用，并减少元件数量。非常适合用于开关负载和IC输入控制，在数字应用中作为BC807或BC817系列晶体管的成本节约替代品。
应用领域
- 切换负载
- IC 输入控制
- 在数字应用中替代BC807或BC817系列晶体管的节省成本方案
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