PDTB123YU115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 425mW | |
| 特征频率(fT) | 140MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品概述
采用超小型SOT323（SC-70）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP带电阻晶体管（RET）系列。
商品特性
- 输出电流能力达500 mA
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少元件数量
- 电阻比率容差为±10%
- 通过AEC-Q101认证
- 适用于高达175°C的高温应用
应用领域
- IC输入控制
- 在数字应用中，可作为BC807或BC817系列晶体管的低成本替代方案
- 开关负载