商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 七路 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 最大输入电压(VI) | 30V | |
| 工作温度 | -20℃~+85℃ | |
| 集电极漏电流(Icex) | 50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 输入电流(on) | - | |
| 输入电流(off) | 65uA | |
| 正向压降(Vf) | 2V | |
| 反向电流(Ir) | 50uA | |
| 输入电容(Ci) | 25pF | |
| 类型 | BJT |
商品概述
ULN2001A、ULN2002A、ULN2003A、ULN2004A、ULQ2003A和ULQ2004A是高压、大电流达林顿晶体管阵列。每个器件由7个NPN达林顿对组成,带有高压输出与共阴极钳位二极管,用于切换感性负载。单个达林顿对的额定集电极电流为500 mA。达林顿对可并联以实现更高的电流容量。ULN2001A是通用阵列,可配合TTL和CMOS技术使用。ULN2002A专门设计用于14 V至25 V的PMOS器件,该器件每个输入都有串联的齐纳二极管和电阻,可将输入电流控制在安全限值内。ULN2003A和ULQ2003A的每个达林顿对都带有2.7-kΩ串联基极电阻,可直接与TTL或5-V CMOS器件配合工作。ULN2004A和ULQ2004A带有10.5-kΩ串联基极电阻,可直接由电源电压为6 V至15 V的CMOS器件驱动。ULN/ULQ2004A所需的输入电流低于ULN/ULQ2003A,所需电压低于ULN2002A。D封装可提供卷带包装,需在器件型号后添加后缀R(例如ULN2003ADR)。NS封装仅提供卷带包装。
商品特性
- 单输出额定集电极电流500 mA
- 高压输出,最高50 V
- 集成输出钳位二极管
- 输入兼容多种类型逻辑
- 提供多种封装选项,包括塑料小外形(D、NS)封装和塑料DIP(N)封装
应用领域
- 继电器驱动器
- 锤驱动器
- 灯具驱动器
- 显示驱动器(LED和气放电)
- 线路驱动器
- 逻辑缓冲器


