温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 90V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV；500mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
一款硅NPN外延平面晶体管，专为小信号通用开关应用而设计。
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 90V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 200 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 120MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 200mV；500mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN |
一款硅NPN外延平面晶体管，专为小信号通用开关应用而设计。