PUMD9/ZL135
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 230MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV@5mA,0.25mA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
应用领域
- 低电流外围驱动
- IC输入控制
- 替代数字应用中的通用晶体管
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