DS2003CMX/NOPB
DS2003CMX/NOPB
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- DS2003CMX/NOPB
- 商品编号
- C3196904
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V@350mA,500uA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 7个NPN |
商品概述
DS2003 包含七个高压、高电流的NPN达林顿晶体管对。所有单元都具有共发射极和开集电极输出。为了最大化其效能，这些单元包含用于感性负载的抑制二极管以及适当的发射极基极电阻以减少泄漏。
DS2003 每个达林顿对都有一个串联基极电阻，因此可以直接与工作在5.0V供电电压下的TTL或CMOS一起使用。
DS2003 提供了多种接口需求的解决方案，包括电磁阀、继电器、灯泡、小型电机和LED。需要超出单个输出所能承受的灌电流的应用可以通过并联输出来实现。
商品特性
- 七个高增益达林顿对
- 高输出电压（VCE = 50V）
- 高输出电流（IC = 350 mA）
- 兼容TTL、PMOS、CMOS
- 用于感性负载的抑制二极管
- 扩展温度范围
优惠活动
购买数量
(2500个/袋，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/袋
总价金额：
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