- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BFU550XR215
BFU550XR215
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU550XR215
- 商品编号
- C3196931
- 商品封装
- SOT-143-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 16V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 11GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V |
商品概述
BFU550XR是一款适用于高速低噪声应用的NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SOT143R封装。BFU550XR属于BFU5晶体管家族，适用于小信号至中等功率应用，工作频率最高可达2 GHz。
商品特性
- 低噪声高击穿射频晶体管
- AEC-Q101认证
- 采用11 GHz fT硅技术
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 最高2 GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器