- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PUMD15/ZL115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 230MHz；180MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 10V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品概述
采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/PNP双电阻晶体管（RET）。
商品特性
- 输出电流能力达100 mA
- 减少元件数量
- 内置偏置电阻
- 降低贴片成本
- 简化电路设计
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
-低电流外设驱动器-控制IC输入-在数字应用中替代通用晶体管