- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BFU520X235
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 95 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 10.5GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
该器件是一款NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SOT143B封装，适用于高速低噪声应用。BFU520X属于BFU5晶体管系列，适用于最高2 GHz的小信号至中等功率应用。
商品特性
- 低噪声高击穿射频晶体管
- AEC-Q101认证
- 900 MHz下最小噪声系数NFmin为0.7 dB
- 900 MHz下最大稳定增益为20 dB
- 采用11 GHz fT硅工艺
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 最高2 GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器