BFU520R
NPN 电流:30mA 电压:12V
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU520R
- 商品编号
- C3199768
- 商品封装
- SOT-143B
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.125克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 10.5GHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
BFU520是NPN型硅射频晶体管,属于BFU5晶体管系列,采用塑料4引脚双发射极SOT143B封装,支持最高2 GHz频率下的小信号到中等功率应用。Tsp为集电极引脚焊接点温度,Tsp与环境温度的关系为Tsp = Tamb + P × Rth(sp-a),式中P为功耗,Rth(sp-a)为焊接点与环境之间的热阻,Rth(sp-a)由应用的热传导性能决定,热传导性能由应用板材料、电路板布局以及使用环境决定,除特殊说明外,参数测试环境为环境温度25℃
商品特性
- 适用于高速低噪声应用场景
- 具备低噪声、高击穿特性
- 符合AEC-Q101认证要求
- 900 MHz下最小噪声系数为0.65 dB
- 900 MHz下最大稳定增益为20 dB
- 采用特征频率为11 GHz的硅工艺
应用领域
- 需要高电源电压、高击穿电压的场景
- 最高2 GHz的宽带放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器



