- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IXDN75N120
高压IGBT，具备低饱和电压、低开关损耗、方形RBSOA、高短路能力等特性，采用NPT IGBT技术，MOS输入电压控制，国际标准封装
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- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXDN75N120
- 商品编号
- C3199831
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | NPT(非穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 660W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 150A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 190A | |
| 集电极截止电流(Ices) | 4mA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.2V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 360nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 5.5nF | |
| 输出电容(Coes) | 750pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 330pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 100ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 650ns | |
| 导通损耗(Eon) | 12.1mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 10.5mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- G NPT IGBT技术
- G低饱和电压
- G低开关损耗
- G方形反向偏置安全工作区（RBSOA），无闩锁
- G高短路能力
- G正温度系数，便于并联
- G MOS输入，电压控制
- G国际标准封装miniBLOC
应用领域
- 交流电机调速控制
- 直流伺服和机器人驱动
- 直流斩波器
- 不间断电源（UPS）
- 开关模式和谐振模式电源