PUMH9/ZL115
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 特征频率(fT) | 230MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 2个NPN |
商品概述
采用表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN/NPN双电阻晶体管（RET）。
商品特性
- 输出电流能力达100 mA
- 内置偏置电阻
- 简化电路设计
- 减少元件数量
- 降低贴装成本
- 通过AEC-Q101认证
应用领域
- 低电流外设驱动器
- 控制IC输入
- 在数字应用中替代通用晶体管