HGTD3N60C3S9A
耐压:600V 电流:6A
- 品牌名称onsemi(安森美)
商品型号
HGTD3N60C3S9A商品编号
C3193941商品封装
TO-252(DPAK)包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 功率(Pd) | 33W | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic) | 2V@15V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷(Qg@Ic,Vge) | 10.8nC | |
| 输入电容(Cies@Vce) | - | |
| 导通损耗(Eon) | 0.085mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 0.245mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
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