RGSX5TS65EGC11
RGSX5TS65EGC11
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RGSX5TS65EGC11
- 商品编号
- C3193923
- 商品封装
- TO-247N
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 404W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 114A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 225A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.15V@15V,75A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.32nF | |
| 输出电容(Coes) | 168pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 23pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 43ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 113ns | |
| 导通损耗(Eon) | 3.44mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.9mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 116ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 低集电极-发射极饱和电压
- 短路耐受时间 8μs
- 符合 AEC-Q101 标准
- 内置超快软恢复 FRD
- 无铅镀层;符合 RoHS 标准
应用领域
- 汽车
- 工业
- RGW60TS65HRC11
- RGW60TS65CHRC11
- RGT16BM65DTL
- IXBX50N360HV
- AOD5B65MQ1E
- RAA2900024H12HPD#GB1
- RAA2900014H12HPD#GB2
- RAA2900034H12HPD#GB1
- FGD3N60LSDTM-T-FS
- NGD15N41ACLT4G
- HGTD3N60B3S
- NJW4617DL3-TE1
- NJW4154DL3-A-TE2
- NJW4155DL3-B-TE1
- UPD166032T1U-E1-AY
- UPD166033T1U(1)-E1-AY
- UPD166032T1U(1)-E1-AY
- UPD166034T1U(1)-E1-AY
- UPD166031AT1U-E1-AY
- UPD166031AT1U(1)-E1-AY
- UPD166034T1U-E1-AY

