ISL6532BCR-T

ISL6532B可为多达4个DIMM的双通道DDR/DDR2内存系统提供完整的符合ACPI标准的电源解决方案。它集成了同步降压控制器和LDO，可在S0/S1状态下为V_DDQ提供大电流，在S3状态下提供待机电流。在运行模式下，一个完全集成的灌/拉式稳压器可产生精确的(V_DDQ/2)大电流V_TT电压，无需负电源。V_DDQ/2参考电压的缓冲版本作为VREF输出。 开关式PWM控制器在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道MOSFET。同步降压转换器采用电压模式控制，具有快速瞬态响应。开关稳压器和集成待机LDO在电压、负载和温度范围内的最大静态调节公差均为±2%。输出电压可通过外部电阻由用户调节至最低0.8V。 在状态转换期间，通过内部ACPI控制电路可实现PWM稳压器和待机LDO之间内存核心输出的平滑切换。NCH信号在转换期间提供反灌阻断开关的同步切换，无需将5V双电源路由至内存电源。 集成的软启动功能可在从S4/S5或机械关机状态返回S0/S1状态时，以可控方式使V_DDQ进入稳压状态。在S0状态下，PGOOD信号表示所有电源均在规格范围内且可正常工作。 每个输出都对欠压和过压事件进行监测。V_TT和V_DDQ待机稳压器均具备限流功能。还集成了热关断功能。

• 生成2路稳压输出 - 带待机LDO的同步降压PWM控制器 - 带精确V_DDQ/2分压参考的3A集成灌/拉式线性稳压器 - 状态变化时无毛刺转换
• 符合ACPI标准的睡眠状态控制
• 集成VREF缓冲器
• PWM控制器驱动低成本N沟道MOSFET
• 250kHz恒定频率工作
• 紧密的输出电压调节 - 两个输出：全温度范围内±2%
• 5V或3.3V降压转换
• 输出电压范围宽且完全可调：低至0.8V，支持DDR和DDR2规格
• 简单的单环电压模式PWM控制设计
• 快速的PWM转换器瞬态响应
• V_TT过流保护以及两个输出的欠/过压监测
• 集成热关断保护
• QFN封装选项 - QFN符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚封装）产品外形 - QFN接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，外形更薄
• 提供无铅产品

• 符合ACPI标准的PC中的单通道和双通道DDR内存电源系统
• 显卡 - GPU和内存电源
• ASIC电源
• 嵌入式处理器和I/O电源
• DSP电源