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STD25NF20
1个N沟道 耐压:200V 电流:18A
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- 描述
- 汽车级N沟道200 V、0.10 Ohm典型值、18 A STripFET功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD25NF20
- 商品编号
- C388326
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 197pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用了独特的“单一特征尺寸”条形工艺的最新改进技术，减少了关键对准步骤，具备出色的制造重复性。其结果是该晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、坚固的雪崩特性和低栅极电荷。
商品特性
- 专为汽车应用设计，符合AEC-Q101标准
- 极低的栅极电荷
- 出色的dv/dt能力
- 低栅极输入电阻
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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