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STW9N150
1个N沟道 耐压:1500V 电流:8A
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- 描述
- N沟道 1500V 8A
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STW9N150
- 商品编号
- C388524
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.223克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 320W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.255nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 294pF |
商品概述
采用成熟的高压 MESH OVERLAY™ 工艺，设计了一系列性能卓越的先进功率 MOSFET。强化的布局与专利边缘终端结构相结合，实现了单位面积最低的导通电阻（RDS(on)）、无可匹敌的栅极电荷和开关特性。
商品特性
- 100% 雪崩测试
- 雪崩耐用性
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 高速开关
- 极低的导通电阻
- TO - 247 封装
应用领域
- 开关应用