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PDS3903
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
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- 描述
- P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
- 品牌名称
- Potens(博盛半导体)
- 商品型号
- PDS3903
- 商品编号
- C388396
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.196克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 500pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 700pF |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 30V、-13A,VGS = -10V时,RDS(ON) = 9.5mΩ
- 快速开关
- 有环保型器件
- 适用于-4.5V栅极驱动应用
应用领域
- 主板/显卡/Vcore
- 负载点(POL)应用
- 负载开关
- LED应用
- GRM0335C1H200FA01D
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- STE1206A1W0R220F
- STE1206A1W0R250F
- STE2512A2W0R068F
- STE2512A2W0R075F
- STE2512A2W0R090F
- STE2512A2W0R150F
- STE2512A2W0R250F
- STE2512A2W0R300F
- STE2512A2W0R350F
- STE2512A2W0R470F