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FDMA910PZ
1个P沟道 耐压:20V 电流:9.4A
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- 描述
- 此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET，且可针对 ESD 提供齐纳二极管保护。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMA910PZ
- 商品编号
- C388426
- 商品封装
- VDFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.805nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 620pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进技术制造。该技术使功率MOSFET具备更优特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷，尤其具有出色的雪崩特性。
商品特性
- 在 VGS = -4.5 V、ID = -9.4 A 时,最大 rDS(on) = 20 m Ω
- 在 VGS = -2.5 V、ID = -8.6 A 时,最大 rDS(on) = 24 m Ω
- 在 VGS = -1.8 V、ID = -7.2 A 时,最大 rDS(on) = 34 m Ω
- 低外形——新型 2x2 mm MicroFET 封装最大高度为 0.8 mm
- 典型人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >2.8kV
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-LED-充电-电视电源