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MU2N7002T
1个N沟道 耐压:60V 电流:320mA
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：0.32A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3000mΩ
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MU2N7002T
- 商品编号
- C34373742
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 320mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品特性
- 700V、8A，RDS(ON)（典型值） = 0.54 Ω @ VGS = 10 V
- 先进的超结技术
- 易于控制栅极开关
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- PD适配器
- LED照明
- LCD与PDP电视
- 单端反激或双晶体管正激拓扑