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AM2390N-T1-PF-VB
1个N沟道 耐压:200V 电流:0.6A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N沟道功率MOSFET。采用Trench技术制造。该MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，设计用于小电流和高压应用，适用于各种低功耗电子设备和模块。SOT23；N—Channel沟道,200V；0.6A；RDS(ON)=1400mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~4.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- AM2390N-T1-PF-VB
- 商品编号
- C3040305
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 600mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.05W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.45pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
- 沟槽功率 MOSFET
- 100% Rq 测试
- 符合 RoHS 指令 2002/95/EC